Educação pode mudar sua vida

Na década de 1950, Jack Kilby e Robert Noyce criaram um dispositivo capaz de conter milhões de transistores por mm², produzindo transformações na eletrônica. Um dos processos utilizados para a fabricação de circuitos integrados à base de SiO² fundamenta-se na reação de Si com O₂ com emprego de temperaturas que variam de 1000 a 1200 °C, quando um rendimento ótimo é atingido. O filme de SiO₂ pode ser obtido expondo o silício a alta temperatura em um ambiente contendo oxigênio de alta pureza ou usando-se vapor de água. Com base no exposto, assinale a alternativa correta.
a) Na equação química Si_(s) + 2H₂O_(g) → SiO_2(s) + 2H_2(g), utilizando vapor de água, o silício é reduzido, o hidrogênio é reduzido e o número de oxidação do oxigênio é aumentado.
b) Na equação química Si_(s) + O_2(g) → SiO_2(s), utilizando oxigênio de alta pureza, o número de oxidação do silício é aumentado.
c) O filme de SiO₂ formado em ambiente contendo vapor de água é menos poroso devido à evolução de gás H_2(g) como produto da reação.
d) O rendimento da reação de oxidação térmica representada por Si_(s) + O_2(g) → SiO_2(s) independe da temperatura e do tempo de aplicação do fluxo de O_2(g).
e) O rendimento da reação de oxidação térmica representada por Si_(s) + O_2(g) → SiO_2(s) poderá ser aumentado pela inserção de agentes redutores no ambiente reacional.